的电压通过变压器的初级绕组
Posted: Thu Feb 20, 2025 5:04 am
逆变器。
逆变电路是按照所谓“斜桥”电路组装的。它使用两个大功率开关晶体管。在焊接逆变器中，关键晶体管可以是IGBT晶体管或MOSFET。例如，Telwin Tecnica 141-161 和 144-164 型号使用 IGBT 晶体管 (HGTG20N60A4、HGTG30N60A4)，而 Telwin Force 165 型号使用高压 MOSFET 晶体管 (FCA47N60F)。两个关键晶体管都安装在散热器上以散热。 TELWIN Force 165 板上两个 FCA47N60F MOSFET 晶体管之一的照片。
我们再看一下电路图，找到上面的逆变器元件。
直流电压由晶体管Q5、Q8通过脉冲变压器T3的绕组切换，其频率远高于电网频率。开关频率可达几十千赫！本质上，交流电的产生就像在电网中一样，但其频率为几十千赫兹，形状为矩形。
为了保护晶体管免受危险电压浪涌的影响，使用了阻尼 RC 电路 R46C25、R63C30。
采用高频变压器T3降压。使用晶体管 Q5、Q8，来自网 奥地利电话号码列表
络整流器 (DC+、DC-) (绕组 1-2) 进行切换。这与转换第一阶段获得的 310 – 350V 的恒定电压相同。
通过开关晶体管，将直流电压转换成交流电压。众所周知，变压器并不转换直流电。从变压器 T3 的次级绕组（绕组 5-6）中去除的电压要低得多（约 60-70 伏），但最大电流可达 120 - 130 安培！这就是变压器T3的主要作用。初级绕组流过较小电流但较高电压。次级绕组中已经去除了较小的电压，但去除了较大的电流。
该变压器本身尺寸较小。
其次级绕组由数圈绝缘铜带线绕制而成。电线横截面令人印象深刻，难怪绕组中的电流可以达到 130 安培！
接下来，从脉冲变压器的次级绕组开始，高频交流电由强大的二极管整流器进行整流。从整流器输出（OUT+、OUT-）中移除具有所需参数的电流。这是进行焊接工作所必需的。
输出整流器。
输出整流器采用共阴极强力双二极管（D32、D33、D34）组装而成。这些二极管具有很高的响应速度，即它们可以快速打开并快速关闭。恢复时间trr<50ns（50纳秒）。
逆变电路是按照所谓“斜桥”电路组装的。它使用两个大功率开关晶体管。在焊接逆变器中，关键晶体管可以是IGBT晶体管或MOSFET。例如，Telwin Tecnica 141-161 和 144-164 型号使用 IGBT 晶体管 (HGTG20N60A4、HGTG30N60A4)，而 Telwin Force 165 型号使用高压 MOSFET 晶体管 (FCA47N60F)。两个关键晶体管都安装在散热器上以散热。 TELWIN Force 165 板上两个 FCA47N60F MOSFET 晶体管之一的照片。
我们再看一下电路图，找到上面的逆变器元件。
直流电压由晶体管Q5、Q8通过脉冲变压器T3的绕组切换，其频率远高于电网频率。开关频率可达几十千赫！本质上，交流电的产生就像在电网中一样，但其频率为几十千赫兹，形状为矩形。
为了保护晶体管免受危险电压浪涌的影响，使用了阻尼 RC 电路 R46C25、R63C30。
采用高频变压器T3降压。使用晶体管 Q5、Q8，来自网 奥地利电话号码列表
络整流器 (DC+、DC-) (绕组 1-2) 进行切换。这与转换第一阶段获得的 310 – 350V 的恒定电压相同。
通过开关晶体管，将直流电压转换成交流电压。众所周知，变压器并不转换直流电。从变压器 T3 的次级绕组（绕组 5-6）中去除的电压要低得多（约 60-70 伏），但最大电流可达 120 - 130 安培！这就是变压器T3的主要作用。初级绕组流过较小电流但较高电压。次级绕组中已经去除了较小的电压，但去除了较大的电流。
该变压器本身尺寸较小。
其次级绕组由数圈绝缘铜带线绕制而成。电线横截面令人印象深刻，难怪绕组中的电流可以达到 130 安培！
接下来，从脉冲变压器的次级绕组开始，高频交流电由强大的二极管整流器进行整流。从整流器输出（OUT+、OUT-）中移除具有所需参数的电流。这是进行焊接工作所必需的。
输出整流器。
输出整流器采用共阴极强力双二极管（D32、D33、D34）组装而成。这些二极管具有很高的响应速度，即它们可以快速打开并快速关闭。恢复时间trr<50ns（50纳秒）。